4、宽禁带半导体的优势：宽禁带半导体为高功率、高频率和高温应用提供了解决方案，提高了能效和设计灵活性。

1）更快的开关速度：氮化镓宽带隙的最大优势之一是有助于提高开关速度。氮化镓的电子迁移率约为 2,000 cm²/Vs，使开关频率比硅高出 10 倍。开关速度越快，开关损耗就越小，从而使整体设计更加紧凑高效。氮化镓宽禁带半导体具有较低的总栅极电荷和约 1.5V 的低电压阈值，即使在高频率下，栅极驱动功率也可以限制在毫瓦级。

2）更高的导热系数：GaN 的热导率为 2 W/cmK，可在高达 200°C 的温度下高效散热和运行。这种导热性能可在高温和极端条件下正常工作。

3）更高的电压：GaN 的击穿电场为 3.3 MV/cm，可承受的电压几乎是硅的 10 倍。更高的电压能力为更高功率的应用提供了机会，能在更小的外形尺寸下实现相同的性能，或在相同的外形尺寸下提高性能。

5、 宽禁带半导体-实现 800V 电动汽车的关键应用   

1）牵引逆变器是最关键的电动汽车系统之一，关系到车辆的整体性能。牵引逆变器在电动汽车中的关键作用如下：

（1）将电池中的直流电转换为交流电，供牵引电机使用；

（2）将交流电转换回直流电，用于再生制动；

（3）根据驾驶员的踏板输入控制电动汽车电机速度。

2）在 800V 牵引逆变器中使用 SiC MOSFET，可实现更快、更高效、更轻便的电动汽车动力系统。与硅相比，SiC 产生的热量更少，对温度的敏感性更低，并能实现更高效的功率开关。较少的热量释放使冷却系统更轻便，从而使逆变器的体积更轻、更小。碳化硅的带隙较高，因此高温下的漏电流较低，而临界场电压较高，可显著降低导通电阻，使器件更小/更薄。这就降低了开关损耗，提高了电流承载能力，并加快了开关速度。导热性是碳化硅的另一个重要优势。碳化硅模块可承受高达 200°C 的结温，而硅模块只能承受高达80°C的结温。

3）与碳化硅相比，氮化镓的带隙、临界电场和饱和速度几乎相当甚至更好。然而，其较低的热传导率给电动汽车牵引逆变器等高功率、高温度应用带来了挑战。对于氮化镓来说，650V 模块是在 400V 电动汽车系统中应用的最佳点。然而，当电压升高到 800V 时，氮化镓由于热传导率较低而失去了效率。业界正致力于开发垂直/三维氮化镓结构，以支持高功率电动汽车应用。

4）第三代半导体材料正在引发一场清洁能源和电子信息技术发展的革命。无论是照明、家用电器、消费电子设备、能源汽车、智能电网，还是军事装备，都离不开高性能的第三代半导体材料。巨大的需求和技术优势必将推动宽宽禁带半导体市场的快速发展。